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ZXMC10A816:Diodes推出新型雙MOSFET組合式器件

發(fā)布時(shí)間:2009-07-07 來源:Diodes Incorporated

產(chǎn)品特點(diǎn):
  • 采用SO8封裝
  • 包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET
  • 典型導(dǎo)通電阻分別為230m? 和235m?
  • 功率耗散分別為2.4W及2.6W
應(yīng)用范圍:
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封裝,包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET,性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路,應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級(jí)以及其他多種48V應(yīng)用。

Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出:“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件,有助減省電路板空間及元件數(shù)目,同時(shí)簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。比方說,SO8充分發(fā)揮了節(jié)省空間的功能,其占位面積只有31 mm2,僅為兩個(gè)SOT223 MOSFET的30%。”

最新雙器件封裝內(nèi)的N與P通道MOSFET,可在10V柵極電壓 (VGS) 下實(shí)現(xiàn)極低的柵極電荷,典型導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 分別為230m? 和235m?,確保開關(guān)及導(dǎo)通損耗保持在最低水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。

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