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SiE876DF:Vishay導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-08-26

SiE876DF產(chǎn)品特性:
  • 采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝
  • 10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω
  • 可以在更低的結(jié)溫下工作
  • 漏源電壓等級(jí)低于150V,因此能簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)
  • 通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試
應(yīng)用范圍:
  • 工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路
  • 用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源
  • 使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)
  • 更高電壓的中間總線轉(zhuǎn)換(IBC)設(shè)計(jì)中
日前,Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝,在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω,比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減小了13%。

N溝道SiE876DF的目標(biāo)應(yīng)用是工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路、用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源,以及使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng),還可以在更高電壓的中間總線轉(zhuǎn)換(IBC)設(shè)計(jì)中用做初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)或次級(jí)側(cè)整流。

在這些應(yīng)用中,低導(dǎo)通電阻的SiE876DF可以產(chǎn)生更低的傳導(dǎo)損耗,從而節(jié)約能源。除了TrenchFET硅技術(shù)對(duì)降低導(dǎo)通損耗的貢獻(xiàn)外,PolarPAK封裝的雙面冷卻還能為高電流應(yīng)用提供更好的熱性能,這樣器件可以在更低的結(jié)溫下工作。PolarPAK的引線框封裝設(shè)計(jì)還能提高保護(hù)性能和可靠性,此外,由于硅片不是暴露在外的,這種封裝還能簡(jiǎn)化制造過(guò)程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的,漏源電壓等級(jí)低于150V,因此能簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)。SiE876DF還百分之百通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試。

60V的SiE876DF現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
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