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滿足數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計的超薄、緊湊型DC/DC穩(wěn)壓器模塊
模擬DC/DC穩(wěn)壓器IC設(shè)計師和封裝工程師采用創(chuàng)造性的方法推出具更佳熱性能、更低噪聲和更緊湊尺寸的DC/DC穩(wěn)壓器負載點（POL）解決方案后，凌力爾特公司推出了最新 DC/DC 微型模塊（μModuleTM）穩(wěn)壓器LTM4604，本文詳細介紹了LTM4604的若干優(yōu)點及相關(guān)性能。
2008-09-25
DC/DC 穩(wěn)壓器 LTM4604 電流模式架構(gòu) POL 系統(tǒng)
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電子元器件：終端市場未來價格壓力加大
半導(dǎo)體：08年上半年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)收入增長10.4％，增速創(chuàng)近5年來的新低，2007年全球分立式功率器件和模塊市場增長9.3％，未來五年年均增長8-9％。
2008-09-24
分立式功率器件 元器件
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
MOSFET 電源 穩(wěn)壓器管理IC IGBT
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SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強迫通風冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。
2008-09-24
SiE726DF MOSFET 肖特基二極管
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TDK量產(chǎn)1608尺寸的高衰減帶通濾波器
TDK公司9月17日宣布，九月份已開發(fā)并量產(chǎn)用于2.4GHz無線局域網(wǎng)和藍牙1的積層帶通濾波器。雖然該產(chǎn)品為1608尺寸且厚度僅為0.55mm，但實現(xiàn)了與早期產(chǎn)品相同的低損耗、高衰減2特性，體積較原先縮小40%。
2008-09-19
帶通濾波器
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微特電機 變生產(chǎn)大國為技術(shù)強國
近幾年，我國微特電機行業(yè)有了長足的發(fā)展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國微特電機的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國已經(jīng)成為世界微特電機的生產(chǎn)大國。
2008-09-18
微特電機
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優(yōu)化變換器的FET開關(guān)以改善能量效率
現(xiàn)在越來越多的設(shè)計師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍首，而通過采用先進的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開關(guān)特性（開關(guān)速度），他們實施了先進的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗 系統(tǒng)級效率 開關(guān)特性 單元密度
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電子變壓器發(fā)展方向 微型化發(fā)展
電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場經(jīng)濟和配套的需求，近幾年，經(jīng)營機制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動密集型產(chǎn)品，我國勞動力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）進一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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