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RF/微波

為低功耗無線應(yīng)用選擇天線

PCB天線、芯片天線、鞭狀天線是三種最常用的天線，其中PCB天線的設(shè)計(jì)仿真過程較為復(fù)雜，芯片天線占板面積小時(shí)1GHz以下應(yīng)用的好選擇，而鞭狀天線的性能最好，但對(duì)系統(tǒng)的尺寸和成本會(huì)帶來影響。

2009-01-31

天線 PCB天線芯片天線鞭狀天線手機(jī) 3G

中國3G產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展分析

預(yù)測(cè)三大運(yùn)營商三年3G總投資額為3000億元，2009年底，中國通信業(yè)將全面進(jìn)入3G時(shí)代。在技術(shù)上將向高速率化、寬帶化、IP化方向發(fā)展；網(wǎng)絡(luò)不斷向后3G演進(jìn)；3G數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)在中國的未來發(fā)展前景明確；2G和3G網(wǎng)絡(luò)將長(zhǎng)期共存；預(yù)計(jì)5年內(nèi)將有一半的移動(dòng)用戶成為3G用戶。

2009-01-29

3G 中國電信中國移動(dòng) 中國聯(lián)通

MAX3678：Maxim具有智能動(dòng)態(tài)切換功能的頻率合成器

Maxim推出具有9路LVPECL時(shí)鐘輸出和智能動(dòng)態(tài)切換功能的低抖動(dòng)頻率合成器MAX3678。該器件從66.6MHz的低參考時(shí)鐘輸入產(chǎn)生高達(dá)333MHz的時(shí)鐘輸出。是高端服務(wù)器存儲(chǔ)和CPU時(shí)鐘發(fā)生器等高速同步應(yīng)用的理想選擇。

2009-01-24

LVPECL MAX3678 超低抖動(dòng) VCO PLL 頻率合成器

可降低多頻手機(jī)功耗的射頻-微機(jī)電系統(tǒng)

手機(jī)多頻和多功能的發(fā)展趨勢(shì)需要新型手機(jī)集成更多的頻帶和操作模式，同時(shí)最大程度地降低電能消耗。然而，手機(jī)天線失配將帶來額外的功耗，此時(shí)通過可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò)是射頻前端與天線匹配捷克解決這個(gè)問題，而射頻-微機(jī)電系統(tǒng)是組成可調(diào)網(wǎng)絡(luò)的好選擇，它的線性和電能穩(wěn)定性更好、調(diào)諧范圍也更大，獲得品質(zhì)...

2009-01-16

MEMS RF前端手機(jī) 頻段天線阻抗匹配

如何為射頻電路選擇合適的電感

本文介紹了射頻電感的分類、射頻電感的技術(shù)指標(biāo)和射頻電感的分類。

2009-01-06

射頻電路 RF 電感 Q值直流電阻自諧振頻率振蕩電路疊層片式電感繞線電感錐形電感磁芯

IBM研發(fā)出世界最快的石墨烯晶體管

IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，運(yùn)行頻率達(dá)到26GHz。

2009-01-04

石墨烯晶體管低噪聲放大器射頻電路

富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管

富士通微電子(上海)有限公司近日宣布，富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器。作為先進(jìn)科技的先驅(qū)，富士通開發(fā)完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管，能夠處理10V功率輸出，這使得晶體管能夠處理...

2009-01-02

CMOS 功放 WiMAX LTE 單芯片集成PA和射頻

電子元器件S參數(shù)的含義和用途

在進(jìn)行射頻、微波等高頻電路設(shè)計(jì)時(shí)，節(jié)點(diǎn)電路理論已不再適用，需要采用分布參數(shù)電路的分析方法，這時(shí)可以采用復(fù)雜的場(chǎng)分析法，但更多地時(shí)候則采用微波網(wǎng)絡(luò)法來分析電路，對(duì)于微波網(wǎng)絡(luò)而言，最重要的參數(shù)就是S參數(shù)。在個(gè)人計(jì)算機(jī)平臺(tái)邁入 GHz階段之后，從計(jì)算機(jī)的中央處理器、顯示界面、存儲(chǔ)器總線到...

2008-12-19

S參數(shù) 射頻微波分散參數(shù) 集總電路

BLL6H1214-500：NXP L波段雷達(dá)應(yīng)用RF輸出功率器件

恩智浦半導(dǎo)體擴(kuò)張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對(duì)L波段雷達(dá)應(yīng)用的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達(dá)500W的突破性的RF輸出功率。

2008-11-25

BLL6H1214-500 RF Power 晶體管 L波段雷達(dá)應(yīng)用 LDMOS

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