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為何eMMC芯片磨損導(dǎo)致MCU和車輛無法正常運作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
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貿(mào)澤與兆易創(chuàng)新簽署全球分銷協(xié)議，備貨多款高性能存儲器產(chǎn)品
2020年2月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名的非易失性存儲器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 (GigaDevice) 簽署全球分銷協(xié)議并達成合作伙伴關(guān)系。簽署此項協(xié)議后，貿(mào)澤電子現(xiàn)已成為兆易創(chuàng)新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash產(chǎn)品的授權(quán)分銷商，這些器件適用于汽車、消費電子、物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、工業(yè)、移動設(shè)備、計算、網(wǎng)絡(luò)和通信等嵌入式應(yīng)用。
2020-02-28
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案
全球NAND閃存主控芯片設(shè)計與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技，將于9月19日在深圳舉辦的“2018中國閃存市場峰會（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控芯片為移動設(shè)備提供無與倫比的高性能、大容量的嵌入式存儲解決方案，將主流市場上的移動存儲提高到新檔次。
2018-09-20
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慧榮科技榮獲中國財經(jīng)峰會“2017年度最具影響力企業(yè)大獎”
2017年11月30日，中國北京——在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國財經(jīng)峰會·冬季論壇組委會頒發(fā)的“2017年度最具影響力企業(yè)大獎”，以表彰其多年來在閃存控制芯片領(lǐng)域所做出的杰出貢獻。頒獎典禮于今日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業(yè)資深副總段喜亭先生出席典禮。
2017-12-01
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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大象關(guān)冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實現(xiàn)
目前，存儲領(lǐng)域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個非常熱門的領(lǐng)域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲的需要。本文目的提出一種可以硬實現(xiàn)的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實現(xiàn)，從總體上較CPU固件實現(xiàn)有較好的功耗比和高速性能的目標。
2016-02-25
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揭秘手機內(nèi)存真相：實際少于16G為何要標稱有16G內(nèi)存？
目前市面上的大容量存儲介質(zhì)分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。這兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢？為什么實際容量往往會比標示的少呢？
2016-01-19
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用圖來說話，解答Android設(shè)備處理器最大懸念：內(nèi)核越多性能越強？
日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關(guān)于移動芯片核心性能的大規(guī)模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。
2015-09-07
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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來學(xué)習(xí)閃存的知識。本文主要講解的內(nèi)容有閃存簡介和閃存的概念和閃存的技術(shù)及特點以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優(yōu)點這些內(nèi)容。接下來就為大家講解相關(guān)的知識。
2013-06-29
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集成電路的發(fā)展
根據(jù)小編所了解早在1830年，科學(xué)家已于實驗室展開對半導(dǎo)體的研究。他們最初的研究對像是一些在加熱后電阻值會增加的元素和化合物。這些物質(zhì)有一共同點，當它們被光線照射時，會容許電流單向通過，我們可藉此控制電流的方向，稱為光電導(dǎo)效應(yīng)。在無線電接收器中，負責偵測訊息的整流器，就是一種半導(dǎo)體電子儀器的例子。德國的Ferdinand Braun利用了半導(dǎo)體方鉛礦，一種硫化鉛化合物的整流特性，創(chuàng)制世上第一臺整流偵測器，后世俗稱為貓胡子的偵測器?；诎雽?dǎo)體的整流特性，我們能在整流偵測器內(nèi)的金屬接觸面和半導(dǎo)體間建立起一電勢差，令電子在某一方向流動時為“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導(dǎo)體電子儀器起始面世。
2012-12-02
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NOR和NAND比較有何不同
NOR和NAND比較有何不同
2012-11-19
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三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長
TrendForce預(yù)期NAND Flash合約價的上漲動將持續(xù)至11月份，10月下旬合約價格仍上漲了7-12%,但11月過后的價格走勢面臨較大的下滑壓力。同時受三大因為影響USB 3.0市場將自明年開始加溫。
2012-11-01
- 學(xué)子專區(qū) － ADALM2000實驗：多相濾波電路
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